Infineon IR2109STRPBF Gate-Treiber-Modul Gate-Treiber 250 mA 14-Pin SOIC 20 V 80 ns
- RS Best.-Nr.:
- 258-3929
- Herst. Teile-Nr.:
- IR2109STRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
2,63 €
(ohne MwSt.)
3,13 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 2.462 Einheit(en) mit Versand ab 31. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,315 € | 2,63 € |
| 20 - 48 | 1,15 € | 2,30 € |
| 50 - 98 | 1,065 € | 2,13 € |
| 100 - 198 | 1,00 € | 2,00 € |
| 200 + | 0,915 € | 1,83 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3929
- Herst. Teile-Nr.:
- IR2109STRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 250mA | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Abfallzeit | 80ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | Gate-Treiber | |
| Anstiegszeit | 150ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | IR2109(4)(S) & (PbF) | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 250mA | ||
Pinanzahl 14 | ||
Abfallzeit 80ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ Gate-Treiber | ||
Anstiegszeit 150ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie IR2109(4)(S) & (PbF) | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 600-V-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC von Infineon EiceDRIVER mit typischen 0,2-A-Quelle- und 0,35-A-Sinkströmen in einem 8-Leiter-SOIC-Gehäuse für IGBTs und MOSFETs. Auch erhältlich in 8-adrigem PDIP, 14-adrigem SOIC und 14-adrigem PDIP.
Vollständig betriebsbereit bis +600 V
Tolerant gegenüber negativen Überspannungen
dV/dt-Immun
Gate-Antriebsversorgungsbereich von 10 bis 20 V
Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
Verwandte Links
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL SOIC 8N 80ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL SOIC 8N 40ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 500 mA 20V 8-Pin SOIC 8N 65ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 350 mA 20V 8-Pin SOIC 80ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS SOIC 8N 40ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS 8-Pin SOIC 8N 50ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS 8-Pin SOIC 8N 40ns
- Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 350 mA 20V 28-Pin PDIP 80ns
