Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL SOIC 16 W

Die Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber von Infineon mit unabhängigen High-Side- und Low-Side-Referenzausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und verriegelungsgeschützte CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis zu 3,3-V-Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom für minimale Treiberkreuzleitung. Die Ausbreitungsverzögerungen sind abgestimmt, um den Einsatz in Hochfrequenzanwendungen zu vereinfachen. Der schwimmende Kanal kann zum Antrieb eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die bis zu 500 V oder 600 V betrieben wird.

Gate-Antriebsversorgungsbereich von 10 V bis 20 V
Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
Kompatibel mit 3,3-V-Logik
Separater Logikversorgungsbereich von 3,3 V bis 20 V
Logik- und Leistungserdung ± 5 V Offset
CMOS-Schmitt-Trigger-Eingänge mit Pull-Down
Zyklus-für-Zyklus-Kantentrigger-Abschaltlogik
Passende Ausbreitungsverzögerung für beide Kanäle
Ausgänge in Phase mit Eingängen