Infineon Gate-Treiber-IC Gate-Treiber 700 mA 8-Pin DSO-8 17.50V 40 ns
- RS Best.-Nr.:
- 260-5053
- Herst. Teile-Nr.:
- 2EDL05N06PFXUMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-IC | |
| Ausgangsstrom | 700mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 40ns | |
| Gehäusegröße | DSO-8 | |
| Treiber-Typ | Gate-Treiber | |
| Anstiegszeit | 80ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 17.50V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | 2ED | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-IC | ||
Ausgangsstrom 700mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 40ns | ||
Gehäusegröße DSO-8 | ||
Treiber-Typ Gate-Treiber | ||
Anstiegszeit 80ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 17.50V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie 2ED | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber-IC der Serie 2ED von Infineon, 10 V Mindestversorgungsspannung, 0,70 A Ausgangsstrom – 2EDL05N06PFXUMA1
Dieser Gate-Treiber-IC bietet eine gezielte Lösung für die Ansteuerung von Leistungstransistoren innerhalb eines moderaten Versorgungsspannungsbereichs. Es nimmt niedrige bis mittlere Versorgungsspannungen auf und liefert Schaltantriebe für die Gate-Steuerung in kompakten Gehäusen. Das Gerät eignet sich für elektronische Baugruppen, die ein kontrolliertes Ein- und Ausschaltverhalten über einen breiten Umgebungstemperaturbereich erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Versorgungsbereich von 10 V bis 17,50 V ermöglicht eine flexible Auswahl an Systemschienen
• Der Ausgangsstrom von 0,70 A treibt die gängigen Leistungs-MOSFET-Gates effektiv an
• Anstiegszeit von 80 ns reduziert Schaltübergangsverluste unter Last
• 40 ns Fallzeit unterstützt schnelles Abschalten und verbesserte Schaltsteuerung
• Das 8-polige DSO-8-Gehäuse minimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte für kompakte Designs
• Der Ausgangsstrom von 0,70 A treibt die gängigen Leistungs-MOSFET-Gates effektiv an
• Anstiegszeit von 80 ns reduziert Schaltübergangsverluste unter Last
• 40 ns Fallzeit unterstützt schnelles Abschalten und verbesserte Schaltsteuerung
• Das 8-polige DSO-8-Gehäuse minimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte für kompakte Designs
Anwendungsbereich
• Geeignet für Gate-Antriebe in MOSFET-Stufen mit mittlerer Leistung
• Ideal für die Leistungsschaltung in industriellen Steuermodulen
• Wird mit Halbbrücken- und Vollbrücken-Transistor-Anordnungen verwendet
• Kann für schnelle Pulsweitenmodulationsantriebsstromkreise verwendet werden
• Ideal für die Leistungsschaltung in industriellen Steuermodulen
• Wird mit Halbbrücken- und Vollbrücken-Transistor-Anordnungen verwendet
• Kann für schnelle Pulsweitenmodulationsantriebsstromkreise verwendet werden
In welchem Umgebungstemperaturbereich kann es betrieben werden?
Er funktioniert in einem Temperaturbereich von -40 °C bis 125 °C.
Welches Gehäuse sollte bei platzbeschränkten Layouts in Betracht gezogen werden?
Das Gerät wird in einem DSO-8-Gehäuse mit acht Pins für eine kompakte Integration geliefert.
Ist die Komponente für Bereiche geeignet, in denen gefährliche Materialien eingeschränkt sind?
Das Gerät entspricht den RoHS-Normen und schließt bestimmte eingeschränkte Stoffe aus.
Wie hoch ist die maximale Begrenzung der Versorgungsspannung, um Schäden zu vermeiden?
Die höchstzulässige Versorgungsspannung beträgt 17,50 V.
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