Infineon MOSFET MOSFET 4 A 8-Pin SOIC 600 V 18 ns
- RS Best.-Nr.:
- 260-5220
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS21867SPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRS21867SPBF
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 4A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 18ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 38ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 600V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | IRS21867S | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 4A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 18ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 38ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 600V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie IRS21867S | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Treiber von Infineon mit unabhängigen Ausgangskanälen mit Hoch- und Niederspannungsseite.
Schwimmender Kanal für Bootstrap-Betrieb
Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
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