Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024

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Renesas Electronics Gate-Ansteuerungsmodul NMOS 100V 10-Pin 790ns

RS Best.-Nr.:: 264-3549
Herst. Teile-Nr.:: HIP2210FRTZ
Marke:: Renesas Electronics

Renesas Electronics Gate-Ansteuerungsmodul NMOS 100V 10-Pin 790ns

Preis pro Stück (In einer Stange von 750)

1,337 €

(ohne MwSt.)

1,591 €

(inkl. MwSt.)

1500 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
750 - 2250	1,337 €	1.002,75 €
3000 +	1,299 €	974,25 €

*Bitte VPE beachten

Nicht als Expresslieferung erhältlich

RS Best.-Nr.:: 264-3549
Herst. Teile-Nr.:: HIP2210FRTZ
Marke:: Renesas Electronics

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - HIP2210FRTZ

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: MY

Produktdetails

Die Hochfrequenz-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber von Renesas Electronics. Dies ist ein dreistufiger PWM-Eingang mit programmierbarer Leerlaufzeit. Sein großer Betriebsversorgungsbereich von 6 V bis
18-V- und integrierter High-Side-Bootstrap unterstützt Dioden, die den High-Side- und Low-Side-NMOS in 100-V-Halbbrückenanwendungen antreiben.

Integrierte 0,5 Ω typische Bootstrap-Diode
Robuste Störtoleranz
VDD- und Boot-Unterspannungsabschaltung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Logik-Typ	NMOS
Versorgungsspannung	100V
Pinanzahl	10
Abfallzeit	790ns