Texas Instruments MOSFET-Gate-Ansteuerung TTL 5 A 14V 8-Pin SOIC

Eine Serie spezieller Gate-Ansteuerungs-ICs von Texas Instruments, geeignet für MOSFET- und IGBT-Anwendungen. Die Geräte können geeignete Starkstromausgänge mit den Betriebsanforderungen von MOSFET- IGBT-Geräten bereitstellen und sind mit einer Vielzahl von Konfigurationen und Gehäusetypen verfügbar.

Der Dual-Gate-Treiber von Texas Instruments ersetzt Gate-Treiber nach Industriestandard durch verbesserten Peak Output Current und Effizienz. Jede Mischausgang-Treiberstufe umfasst parallel geschaltete MOS- und bipolare Transistoren, die zusammen mehr als 5-A-Peak von kapazitiven Lasten absenken. Durch die Kombination der einzigartigen Eigenschaften von MOS und bipolaren Geräten werden die Treiberstromschwankungen mit Spannung und Temperatur reduziert. Unterspannungsschutz ist ebenfalls vorhanden. Die Treiber können parallel mit Ein- und Ausgängen betrieben werden, die an die doppelte Treiberstromfähigkeit angeschlossen sind. Dieses Gerät ist im SOIC-Gehäuse oder in der thermisch verbesserten Ausführung erhältlich

Unabhängig steuert zwei N-Kanal-MOSFETs
Zusammengesetzte CMOS- und bipolare Ausgänge reduzieren die Ausgangsstromvariationsleistung
5-A-Senke und 3-A-Quellstromfähigkeit
Zwei Kanäle können parallel angeschlossen werden, um den Antriebsstrom zu verdoppelten
Unabhängige Eingänge (TTL-kompatibel)
Schnelle Ausbreitungszeiten (25 ns typisch)
Schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten (14 ns und 12 ns Anstiegs- und Abfallzeit, respektiv, mit 2-nF-Last)
Erhältlich in zwei nicht invertierenden, zwei invertierenden und kombinierten Konfigurationen
Unterspannungsschutz für Versorgungsschienen (UVLO
LM5111-4 UVLO zur Ansteuerung von PFET über OUT_A und NFET über OUT_B konfiguriert
PIN-kompatibel mit Gate-Treibern nach Industriestandard

MOSFET- und IGBT-Treiber, Texas Instruments