Skyworks Solutions Inc Si8261BAC-C-IS MOSFET MOSFET 4 A 1 8-Pin SOIC 30 V 8.5 ns
- RS Best.-Nr.:
- 795-1479
- Herst. Teile-Nr.:
- Si8261BAC-C-IS
- Marke:
- Skyworks Solutions Inc
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- 795-1479
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- Si8261BAC-C-IS
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- Skyworks Solutions Inc
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Skyworks Solutions Inc | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 4A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 8.5ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 5.5ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 30V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 30V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 3.8 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | Si826x | |
| Länge | 4.8mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Skyworks Solutions Inc | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 4A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 8.5ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 5.5ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 30V | ||
Maximale Versorgungsspannung 30V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 3.8 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie Si826x | ||
Länge 4.8mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Isolierte Gattertreiber der Serie Si826x, Silicon Laboratories
ISO-Treiber der Serie Si826x von Silicon Labs sind stiftkompatible Upgrades für beliebte Optokoppler mit Gate-Ansteuerung. Diese Geräte sind ideal für die Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs und IGBTs in einer Vielzahl von Wechselrichter- und Motorsteuerungsanwendungen. Die isolierten Gattertreiber der Serie Si826x sind mit der eigenen Silizium-Isolierungstechnologie von Silicon Labs ausgestattet, die bis zu 5,0 kV RMS unterstützt. Diese Technologie ermöglicht höhere Leistung, reduzierte Streuung mit Temperatur und Alterung, höhere Komponentendichte von Teil-zu-Teil und überlegene Gleichtaktunterdrückung im Vergleich zu Opto-Treibern.
MOSFET- und IGBT-Treiber, Silicon Laboratories
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