Broadcom ASSR-1218 Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 60 V 1.6V / 0.2 A

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RS Best.-Nr.:
174-3630
Herst. Teile-Nr.:
ASSR-1218-503E
Marke:
Broadcom
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Marke

Broadcom

Produkt Typ

Halbleiterausgang

Laststrom max

0.2A

Montageart

Oberfläche

Lastspannung max

60V

Lastspannung min

-60V

Steuerspannung min

1.1V

Steuerspannung max

1.6V

Serie

ASSR-1218

Anschlusstyp

Leiterplatten-Anschlussklemme

Kontakt Konfiguration

SPST

Schaltfunktion

AC-Schaltung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Höhe

2mm

Länge

4.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Ausgangstyp

MOSFET

Kapazität

0.4pF

Leckstrom im "Aus"-Zustand

1μA

HF-Empfänger Microchip Technology


Das Broadcom-ASSR-1218-Serie-SO-4-Gehäuse mit einpoligem Einwurf (SPST) 4-poligem DIP-Gehäuse, Halbleiterrelais (Foto-MOSFET) hat eine elektrische Nennleistung von 0,2 A und 60 V. Er besteht aus einer AlGaAs Infrarot-Licht emittierenden Diode (LED)-Eingangsstufe, die optisch mit einer Hochspannungsausgangs-Detektorschaltung gekoppelt ist. Der Detektor besteht aus einem Hochgeschwindigkeits-Photovoltaikdiodenarray und einem Treiberschaltkreis zum Ein-/Ausschalten von zwei diskreten Hochspannungs-MOSFETs.

Eigenschaften und Vorteile


• Kompakter bidirektionaler Halbleitersignalschalter

• Hohe Isolationsspannung zwischen Ein- und Ausgang

• Niedriger Eingangsstrom: CMOS-Kompatibilität

• Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand: 0,25 Ohm typisch nur für DC, 1 Ohm typisch für AC/DC

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -40 °C und 85 °C.

• Ein- und Zweikanal-Schließer-einpoliges Ein/Aus-Relais (SPST)

Anwendungen


• Telekommunikations-Switching

• Datenkommunikation

• Industrielle Steuerungen

• Medizinisch

• Sicherheit

• EMR/Reed-Relais-Austausch

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