- RS Best.-Nr.:
- 174-4182
- Herst. Teile-Nr.:
- ASSR-4118-503E
- Marke:
- Broadcom
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
HF-Empfänger Microchip Technology
Das Broadcom-ASSR-4118-Serie-SO-4-Gehäuse mit einpoligem Einweg-Halbleiterrelais (Foto-MOSFET) hat eine elektrische Nennleistung von 0,1 A und 400 V. Er besteht aus einer AlGaAs Infrarot-Licht emittierenden Diode (LED)-Eingangsstufe, die optisch mit einer Hochspannungsausgangs-Detektorschaltung gekoppelt ist. Der Detektor besteht aus einem Hochgeschwindigkeits-Photovoltaikdiodenarray und einem Treiberschaltkreis zum Ein-/Ausschalten von zwei diskreten Hochspannungs-MOSFETs.
Eigenschaften und Vorteile
Kompakter bidirektionaler Halbleitersignalschalter
Hohe Isolationsspannung zwischen Ein- und Ausgang
Niedriger Eingangsstrom: CMOS-Kompatibilität
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand: 8 Ohm typisch nur für DC, 25 Ohm typisch für AC/DC
Betriebstemperaturbereiche zwischen -40 °C und 85 °C.
Einkanal
Hohe Isolationsspannung zwischen Ein- und Ausgang
Niedriger Eingangsstrom: CMOS-Kompatibilität
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand: 8 Ohm typisch nur für DC, 25 Ohm typisch für AC/DC
Betriebstemperaturbereiche zwischen -40 °C und 85 °C.
Einkanal
Anwendungen
Telekommunikations-Switching
Datenkommunikation
Industrielle Steuerungen
Medizinisch
Sicherheit
EMR/Reed-Relais-Austausch
Datenkommunikation
Industrielle Steuerungen
Medizinisch
Sicherheit
EMR/Reed-Relais-Austausch
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Laststrom max. | 0,1 A |
Montage Typ | Oberflächenmontage |
Lastspannung max. | 400 V |
Lastspannung min. | -400 V |
Steuerspannung max. | 1,6 V |
Steuerspannung min. | 1,1 V |
Schalttyp | AC |
Steuerspannungsbereich | 1,1 → 1,6 V |
Anzahl der Pole | 1 |
Anschluss Typ | Leiterplattenstift |
Kontaktanordnung | 1-poliger Schließer |
Ausgangsschaltung | MOSFET |
Relaistyp | Halbleiterausgang |
Gehäuseform | SO |
Einschaltzeit max. | 5ms |
Lastspannungsbereich | -400 → +400V |
Serie | ASSR-4118 |
Abmessungen | 4.4 x 4.3 x 2mm |
Betriebstemperaturbereich | -40 → +85°C |
Betriebstemperatur min. | -40°C |
Höhe | 2mm |
Länge | 4.4mm |
Leckstrom im "Aus"-Zustand | 1 μA |
Kapazität | 0.4pF |
Betriebstemperatur max. | +85°C |
Tiefe | 4.3mm |
Besondere Merkmale | CMOS Kompatibilität, CSA Component Acceptance |
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