Omron G3VM Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 200 V / 0.7 A
- RS Best.-Nr.:
- 237-9903
- Herst. Teile-Nr.:
- G3VM-201DR(TR05)
- Marke:
- Omron
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Omron | |
| Laststrom max | 0.7A | |
| Produkt Typ | Halbleiterausgang | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Lastspannung max | 200V | |
| Lastspannung min | 0.01V | |
| Serie | G3VM | |
| Anschlusstyp | Leiterplatten-Anschlussklemme | |
| Kontakt Konfiguration | SPST | |
| Schaltfunktion | AC/DC schaltend | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Ausgangstyp | MOSFET | |
| Kapazität | 110pF | |
| Leckstrom im "Aus"-Zustand | 1μA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Omron | ||
Laststrom max 0.7A | ||
Produkt Typ Halbleiterausgang | ||
Montageart Oberfläche | ||
Lastspannung max 200V | ||
Lastspannung min 0.01V | ||
Serie G3VM | ||
Anschlusstyp Leiterplatten-Anschlussklemme | ||
Kontakt Konfiguration SPST | ||
Schaltfunktion AC/DC schaltend | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Ausgangstyp MOSFET | ||
Kapazität 110pF | ||
Leckstrom im "Aus"-Zustand 1μA | ||
- Ursprungsland:
- JP
Die Omron MOSFET-Relais in 4-poligen DIP-Gehäusen, die den niedrigen Einschaltwiderstand und die hohe Schaltleistung eines mechanischen Relais erreichen. Diese MOSFET-Relais bieten aufgrund ihres Funktionsprinzips eine hervorragende E/A-Isolierung. Er wandelt die Spannung in das Licht um und überträgt sie durch das Lichtsignal. Daher sind Eingang und Ausgang isoliert. Die Standardmodelle bieten 2500 V eff zwischen Eingang und Ausgang. Es sind auch hochwertige Produkte mit 5000 V ac erhältlich. 3.750-V-ac-Produkte wurden ebenfalls in die SOP-Gehäuseserie aufgenommen. Da MOSFET-Relais keine mechanischen Kontakte haben, ist es möglich, Schaltgeräusche in Ihren Anwendungen zu eliminieren, indem ein MOSFET anstelle eines elektromechanischen Relais verwendet wird. Im Vergleich zum Triac reduziert der MOSFET die Totzone erheblich. Die Eingangswellenform des mikroanalogen Signals leidet nicht wie bei einem Triac und wird im Grunde ohne Verzerrung in Ausgangswellenform umgewandelt.
Extrem kleine Größe und Gewicht
Niedriger Treiberstrom
Lange Lebensdauer
Geringer Leckstrom
Ausgezeichnete Stoßfestigkeit
Hochgeschwindigkeitsschalten
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