Omron G3VM SMD Halbleiterrelais, 1-poliger Schließer 350 V / 0,11 A

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RS Best.-Nr.:
480-1138
Herst. Teile-Nr.:
G3VM-351H
Marke:
Omron
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Marke

Omron

Laststrom max.

0,11 A

Montage Typ

Oberflächenmontage

Lastspannung max.

350 V

Steuerspannung max.

1,3 V

Laststrom min.

110 mA (Anschluss A), 110 mA (Anschluss B), 220 mA (Anschluss C)

Anschluss Typ

Leiterplattenstift

Kontaktanordnung

1-poliger Schließer

Ausgangsschaltung

MOSFET

Gehäuseform

SOP6

Lastspannungsbereich

0 → 350V ac

Serie

G3VM

Abmessungen

6.3 x 4.4 x 1.9mm

Betriebstemperatur max.

+85°C

Betriebstemperaturbereich

-40 → +85°C

Betriebstemperatur min.

-40°C

Tiefe

4.4mm

Höhe

1.9mm

Länge

6.3mm


Standardserie G3VM-351H-MOSFET-SSR – Halbleiterrelais.


Das G3VM-351H-Relais ist Teil der aktualisierten G3VM-S3-Serie und bietet eine Fülle von Vorteilen. Schließer-Durchsteckrelais mit SOP6-Gehäuse, 6 Leiterplatten-Anschlussklemmen und einer Lastspannung von 350 V.


Merkmale und Vorteile des G3VM-351H-Standard-Halbleiterrelais.


• MOSFET-Halbleiterrelais.
• Schlankes, 2,1 mm hohes Relais.
• SMD-Relais-Anschlussklemmen.
• SOP6-Gehäuse.
• Kontaktform: 1-poliger Schließer (1a).
• IR-LED (optisch gekoppelt).
• 6 Relais-Anschlussklemmen.
• Lastspannung: 350 V ac.
• Laststrom: 110 mA max.
• Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 35 Ω.
• Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max.
• Kapazität zwischen den Klemmen: 30 pF.
• SSR-Einschaltzeit: 1 ms max.
• SSR-Abschaltzeit: 1 ms max.
• Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 1500 V eff.
• RoHS-konform.


Zusätzliche Merkmale des Standard-Halbleiterrelais G3VM-351H.


• Lange Betriebslebensdauer.
• Geringer Leckstrom.
• SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.
• Hohe Isolierung.
• Geräuscharmer Betrieb.
• Hochgeschwindigkeitsschalten.
• Steuerung des Mikro-Analog-Signals.
• Foto-LED-Eingang.
• Statusausgang.
• Kompakt


Andere Anwendungsbeispiele.


• Prüf- und Messgeräte.
• Kommunikationsgeräte.
• Unterhaltungsgeräte.
• Messgeräte.
• Datenlogger.
• Breitbandsysteme.
• Testausrüstung für die Halbleiterfertigung.