Halbleiterrelais mit MOSFET-Ausgang und Foto-LED-Eingang Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität Lange Lebensdauer Viele Modelle verfügbar Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen
Universal-MOSFET-Halbleiterrelais G3VM-61G1.
Das MOSFET-Relais G3VM-61G1 ist Bestandteil der weiterentwickelten G3VM-S1-Serie und bietet eine Fülle von Vorteilen, die von wartungsfreien Relais erwartet werden. 1-poliges Schließer-Relais, SMD-Gehäuse mit 4 Anschlussklemmen.
Merkmale und Vorteile des Halbleiterrelais G3VM-61G1
MOSFET-Halbleiterrelais. SMD-Relais-Anschlussklemmen. Kontaktform: 1-poliger Schließer 1a. SOP4 (Small Outline) 4 Relais-Anschlussklemmen. Lastspannung: 60 V. Laststrom: 400 mA max. Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 1 Ω. Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max. Kapazität zwischen den Klemmen: 130 pF. SSR-Einschaltzeit: 2 ms max. SSR-Abschaltzeit: 0,5 ms max. Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 1500 V eff. Schalten von analogen Signalen RoHS-konform.
Zusätzliche Merkmale des Universal-Halbleiterrelais G3VM-61G1
Lange Betriebslebensdauer. Geringer Leckstrom. SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit. Hohe Isolierung. Geräuscharmer Betrieb. Hochgeschwindigkeitsschalten. Steuerung des Mikro-Analog-Signals. Foto-LED-Eingang. Statusausgang. Kompakt Betriebstemperaturbereich: -20°C bis +65°C, keine Vereisung oder Kondensation. Löttemperatur 260 °C.
Andere Anwendungsbeispiele.
Prüf- und Messgeräte. Breitbandsysteme. Datenlogger. Unterhaltungssysteme.