Infineon HF-Verstärker Rauscharm 18.1 dB, 6-Pin 2690 MHz TSNP

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-0656P
Herst. Teile-Nr.:
BGA5H1BN6E6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Betriebsfrequenz

2690 MHz

Verstärkertyp

Rauscharm

Produkt Typ

HF-Verstärker

Technologie

Silizium-Germanium

Verstärkung

18.1dB

Minimale Versorgungsspannung

1.5V

Gehäusegröße

TSNP

Pinanzahl

6

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Dritter Intermodulationspunkt OIP3

-6dBm

Rauschzahl

1.2dB

Betriebstemperatur min.

-40°C

P1dB - Kompressionspunkt

60mW

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Automobilstandard

Nein

Serie

BGA5H1BN6

Der rauscharme Verstärker mit hoher Verstärkung von Infineon für LTE-Hochband ist eine LTE-Datenrate, die durch den rauscharmen Verstärker erheblich verbessert werden kann. Die integrierte Bypass-Funktion

erhöht den gesamten Systemdynamikbereich und führt zu mehr Flexibilität im HF-Frontend. Im Modus mit hoher Verstärkung bietet der LNA die beste Rauschanzeige, um hohe Datenraten selbst an der LTE-Zellenkante zu gewährleisten. Näher an der Basisstation kann der Bypass-Modus aktiviert werden, um den Stromverbrauch zu senken.

Niedriger Stromverbrauch von 8,5 mA

Mehrzustandssteuerung: Bypass- und Hochverstärkungsmodus

Ultrakleines leitungsfreies TSNP-6-10-Gehäuse

HF-Ausgang intern auf 50 Ohm abgestimmt

Geringe Anzahl externer Bauteile

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