IXYS IGBT-Modul / 650 A ±30V max., 1200 V 2,1 kW, 11-Pin SimBus F N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 124-0712
- Herst. Teile-Nr.:
- MIXA450PF1200TSF
- Marke:
- IXYS
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Produktdetails
IGBT-Module IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 650 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±30V |
| Verlustleistung max. | 2,1 kW |
| Konfiguration | Dual |
| Gehäusegröße | SimBus F |
| Montage-Typ | PCB-Montage |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 11 |
| Transistor-Konfiguration | Serie |
| Abmessungen | 152 x 62 x 17mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 124-0712
- Herst. Teile-Nr.:
- MIXA450PF1200TSF
- Marke:
- IXYS