MKI50-06A7 N-Kanal IGBT-Modul, 600 V / 72 A, E 2 12-Pin

  • RS Best.-Nr. 168-4476
  • Herst. Teile-Nr. MKI50-06A7
  • Marke IXYS
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

IGBT-Module IXYS

IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Transistor-Konfiguration Vollbrücke
Konfiguration Brücke
Dauer-Kollektorstrom max. 72 A
Kollektor-Emitter- 600 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Channel-Typ N
Montage-Typ Leiterplattenmontage
Gehäusegröße E 2
Pinanzahl 12
Abmessungen 107.5 x 45 x 17mm
Höhe 17mm
Länge 107.5mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Breite 45mm
Betriebstemperatur min. –40 °C
6 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer Box à 6)
49,102
(ohne MwSt.)
58,431
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Box*
6 - 24
49,102 €
294,612 €
30 - 54
43,21 €
259,26 €
60 +
41,048 €
246,288 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.