SK25GAL063 N-Kanal IGBT-Modul, 600 V / 30 A, SEMITOP1 4-Pin

  • RS Best.-Nr. 505-2905
  • Herst. Teile-Nr. SK25GAL063
  • Marke Semikron
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: IT
Produktdetails

Einfach-IGBT-Module

SEMIKRON bietet IGBT- (Insulated-Gate Bipolar Transistor) Module in SEMITRANS-, SEMiX- und SEMITOP-Paketen in verschiedenen Topologien, Strom und Nennspannungen.

IGBT-Module, Semikron

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Transistor-Konfiguration Einfach
Konfiguration Single
Dauer-Kollektorstrom max. 30 A
Kollektor-Emitter- 600 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Channel-Typ N
Montage-Typ Leiterplattenmontage
Gehäusegröße SEMITOP1
Pinanzahl 4
Abmessungen 31 x 24 x 15.43mm
Höhe 15.43mm
Länge 31mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. -40 °C
Breite 24mm
29 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück
9,30
(ohne MwSt.)
11,07
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 +
9,30 €
Nicht als Expresslieferung erhältlich.