onsemi IGBT / 30 A 3-phasig, 650 V 113 W, 39-Pin DIP-39 N-Kanal Durchsteckmontage

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Herst. Teile-Nr.:
NFAM3065L4BL
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Anzahl an Transistoren

6

Maximale Verlustleistung Pd

113W

Konfiguration

3-phasig

Gehäusegröße

DIP-39

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

N

Pinanzahl

39

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

54.5mm

Höhe

5.6mm

Breite

31mm

Normen/Zulassungen

Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
VN
Das integrierte Wechselrichter-Leistungsmodul von ON Semiconductor verfügt über einen High-Side-Gate-Treiber, einen LVIC, sechs IGBTs und einen Temperatursensor (VTS) und ist damit ideal für den Betrieb von PMSM-, BLDC- und AC-Asynchronmotoren geeignet. Die IGBTs sind in einer dreiphasigen Brücke mit separaten Emitteranschlüssen für die unteren Schenkel angeordnet, was eine maximale Flexibilität bei der Auswahl des Steuerungsalgorithmus ermöglicht.

Aktive Logik-Schnittstelle

Eingebauter Unterspannungsschutz

Integrierte Bootstrap-Dioden und -Widerstände

Getrennte IGBT-Emitteranschlüsse auf der Niederspannungsseite für individuelle Strommessung jeder Phase

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