onsemi IGBT / 200 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 1.07 kW, 4-Pin TO-247-4L Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
277-076
Herst. Teile-Nr.:
FGY4L100T120SWD
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

200A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

1.07kW

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247-4L

Konfiguration

Gemeinsamer Emittent

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

4

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

22.54mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der IGBT und die Gen7-Diode von ON Semiconductor in einem TO247-Gehäuse mit 4 Anschlussdrähten bieten eine optimale Leistung mit geringen Schalt- und Leitungsverlusten und ermöglichen einen hocheffizienten Betrieb. Diese Komponenten sind für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen wie Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Energiespeichersystemen (ESS) konzipiert und bieten ein zuverlässiges und effizientes Energiemanagement in diesen anspruchsvollen Umgebungen.

Hohe Strombelastbarkeit

Reibungsloses und optimiertes Umschalten

Geringer Schaltverlust

RoHS-Konformität

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