onsemi IGBT / 100 A ±20V max. , 1200 V 1,07 kW, 4-Pin TO-247-4L N-Kanal

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

10,15 €

(ohne MwSt.)

12,08 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 30 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 910,15 €
10 - 999,14 €
100 - 4998,44 €
500 - 9997,82 €
1000 +7,01 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
277-076
Herst. Teile-Nr.:
FGY4L100T120SWD
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

100 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

1,07 kW

Anzahl an Transistoren

1

Konfiguration

Common Emitter

Gehäusegröße

TO-247-4L

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

4

Ursprungsland:
CN
Der IGBT und die Gen7-Diode von ON Semiconductor in einem TO247-Gehäuse mit 4 Anschlussdrähten bieten eine optimale Leistung mit geringen Schalt- und Leitungsverlusten und ermöglichen einen hocheffizienten Betrieb. Diese Komponenten sind für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen wie Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Energiespeichersystemen (ESS) konzipiert und bieten ein zuverlässiges und effizientes Energiemanagement in diesen anspruchsvollen Umgebungen.

Hohe Strombelastbarkeit
Reibungsloses und optimiertes Umschalten
Geringer Schaltverlust
RoHS-Konformität

Verwandte Links