Infineon IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 210 W, 4-Pin PG-TO247-4-STD-NT3.7 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
284-616
Herst. Teile-Nr.:
IKZA40N65EH7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

210 W

Gehäusegröße

PG-TO247-4-STD-NT3.7

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

4

Der IGBT von Infineon ist auf hohe Leistung bei niedriger Sättigungsspannung ausgelegt und nutzt die neueste TRENCHSTOP-Technologie. Durch die Integration von Hochgeschwindigkeitsfunktionen mit robusten Eigenschaften zeichnet sich dieses Produkt in verschiedenen Anwendungen aus, von unterbrechungsfreien industriellen Stromversorgungen bis hin zu Ladesystemen für Elektrofahrzeuge. Der Baustein arbeitet effizient bei einer Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V und kann hohe Ströme verarbeiten, wodurch er sich ideal für anspruchsvolle Bedingungen eignet. Seine Fähigkeiten werden durch eine sehr weiche, schnell erholsame Diode weiter verbessert, die einen reibungslosen Betrieb gewährleistet. Das Produkt, das sich an Ingenieure und Techniker richtet, ist langlebig, feuchtigkeitsbeständig und erfüllt die strengen Industrienormen.

Optimiert für hart schaltende Anwendungen
Hervorragende Feuchtigkeitsresistenz für Zuverlässigkeit
Niedrige Sättigungsspannung erhöht die Effizienz
Schnelle Erholungsdiode für sanftes Schalten
Qualifiziert für Normen zur industriellen Nutzung
Vollständiges Spektrum mit PSpice-Modellen

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