Infineon IGBT / 120 A ±20V max. , 1200 V 1 kW, 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
284-976
Herst. Teile-Nr.:
IGQ120N120S7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

120 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

1 kW

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

PG-TO247-3-PLUS-N

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Der IGBT von Infineon ist ein hochmoderner Leistungshalbleiter, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Mit seiner fortschrittlichen Trench-Technologie bietet dieser IGBT außergewöhnliche Robustheit und Zuverlässigkeit. Er ist in der Lage, Kurzschlüsse bis zu 8 Mikrosekunden zu überstehen und wurde für anspruchsvolle Umgebungen wie industrielle Stromversorgungen und erneuerbare Energiesysteme entwickelt. Der Baustein arbeitet mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 1200 V und unterstützt kontinuierliche Kollektorströme von 120 A. Die verbesserte thermische Leistung wird durch den geringen Wärmewiderstand erreicht, was ihn zu einem Favoriten für Ingenieure macht, die Effizienz und Leistung in ihren Designs suchen.

Optimiert für hohe Wärmeableitung
Bewältigt kurze Kurzschlüsse zuverlässig
Große dv/dt-Steuerbarkeit für Flexibilität
Entspricht den Industriestandards für Robustheit
Liefert niedrige Sättigungsspannung für Effizienz
Bietet ein Spektrum von Modellen für Anwendungen

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