Infineon IGBT / 75 A ±20V max. , 1200 V 630 W, 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-981
Herst. Teile-Nr.:
IGQ75N120S7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

75 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

630 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

PG-TO247-3-PLUS-N

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Der IGBT von Infineon ist für einen effizienten Betrieb bei 1200 V ausgelegt und gewährleistet eine robuste Leistung in anspruchsvollen Anwendungen. Dank modernster Trench-Technologie kann dieses Gerät hohe Stromstärken von bis zu 75 A bewältigen und ist damit ideal für industrielle Stromversorgungen und Systeme für erneuerbare Energien wie Solarwechselrichter. Das sorgfältige Design gewährleistet eine niedrige Sättigungsspannung und eine signifikante dv/dt-Regelbarkeit, was die Zuverlässigkeit und Effizienz von Energieumwandlungssystemen erhöht. Dieser IGBT ist für industrielle Anwendungen nach den strengen JEDEC-Normen validiert und erfüllt somit die strengen Anforderungen der modernen Elektronik.

Effizientes Design mit Trench-Technologie
Robustheit bei Kurzschluss gewährleistet zuverlässige Leistung
Breiter Temperaturbereich für vielfältige Anwendungen
Geringere Schaltverluste verbessern das Wärmemanagement
Optimiert für den industriellen Einsatz mit hoher Leistung
Umfassende PSpice-Modelle für eine einfache Integration
Niedrige Gate-Ladung ermöglicht schnellere Schaltgeschwindigkeiten

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