Infineon IGBT / 71 A, 670 V 179 W, 3-Pin PG-TO-247-3-U04 Typ P-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 351-934
- Herst. Teile-Nr.:
- IKWH30N67PR7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- IKWH30N67PR7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 71A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 670V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-3-U04 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.75V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5.1mm | |
| Serie | TRENCHSTOPTM IGBT 7 PR7 | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 71A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 670V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-3-U04 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.75V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5.1mm | ||
Serie TRENCHSTOPTM IGBT 7 PR7 | ||
Höhe 21.1mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Infineon TRENCHSTOP IGBT7 PR7 im TO-247-3pin-Gehäuse mit hoher Kriech- und Luftstrecke ist speziell für Boost-PFC-Stufen wie RAC / CAC und HVAC-Anwendungen optimiert. Er ist der Nachfolger des TRENCHSTOP IGBT 5 mit verbesserten EMI-Eigenschaften, klassenbester Zuverlässigkeit und Robustheit und bietet herausragende Performance und ein noch besseres Preis-Leistungs-Verhältnis für Anwendungen mit hoher Leistung und hoher Schaltfrequenz.
Bessere EMI-Leistung
Herausragende Performance bei hohen Schaltleistungen
Besseres Industriedesign
Verbesserte Isolierung für hohe Zuverlässigkeit
Einfache Parallelisierung
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