Starpower IGBT / 200 A ±20V max. Dual, 650 V 612 W, 7-Pin Modul N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 427-730
- Herst. Teile-Nr.:
- GD200HFX65C2S
- Marke:
- Starpower
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- Marke:
- Starpower
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Starpower | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 200 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 612 W | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Konfiguration | Dual | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Starpower | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 200 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 612 W | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Konfiguration Dual | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 7 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Starpower-Leistungsmodul bietet extrem niedrige Leitungsverluste sowie Kurzschlussfestigkeit. Sie wurden für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV entwickelt.
Maximale Sperrschichttemperatur 175 °C
Gehäuse mit niedriger Induktivität
Schnelle und sanfte umgekehrte Wiederherstellung, antiparallel FWD
Isolierte Kupfer-Sockelplatte mit DBC-Technologie
Gehäuse mit niedriger Induktivität
Schnelle und sanfte umgekehrte Wiederherstellung, antiparallel FWD
Isolierte Kupfer-Sockelplatte mit DBC-Technologie
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