Starpower IGBT / 50 A ±20V max. 6-fach, 1200 V PIM-Modul N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 427-822
- Herst. Teile-Nr.:
- GD50FSA120L3S
- Marke:
- Starpower
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- GD50FSA120L3S
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- Starpower
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Starpower | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Gehäusegröße | PIM-Modul | |
| Konfiguration | Hex-Brücke | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Starpower | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Gehäusegröße PIM-Modul | ||
Konfiguration Hex-Brücke | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Channel-Typ N | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Starpower IGBT-Stromversorgungsmodul bietet extrem niedrige Leitungsverluste sowie eine robuste Kurzschlussfestigkeit. Sie wurden für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV entwickelt.
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Maximale Sperrschichttemperatur 175 °C
Gehäuse mit niedriger Induktivität
Schnelle und sanfte umgekehrte Wiederherstellung, antiparallel FWD
Isolierte Kupfer-Sockelplatte mit DBC-Technologie
Maximale Sperrschichttemperatur 175 °C
Gehäuse mit niedriger Induktivität
Schnelle und sanfte umgekehrte Wiederherstellung, antiparallel FWD
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