Microchip Transistor / -600 mA, -40 V 500 mW, 3-Pin TO-18 NPN-Kanal Gewindebohrung
- RS Best.-Nr.:
- 838-600
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N2907
- Marke:
- Microchip
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | -600mA | |
| Produkt Typ | Transistor | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | -40V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gehäusegröße | TO-18 | |
| Montageart | Gewindebohrung | |
| Kabelkanaltyp | NPN | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 300ns | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | -0.4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | 2N2906–2N2907 | |
| Länge | 19.05mm | |
| Normen/Zulassungen | MIL-PRF-19500/291 | |
| Breite | 5.84mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic -600mA | ||
Produkt Typ Transistor | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo -40V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gehäusegröße TO-18 | ||
Montageart Gewindebohrung | ||
Kabelkanaltyp NPN | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 300ns | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT -0.4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie 2N2906–2N2907 | ||
Länge 19.05mm | ||
Normen/Zulassungen MIL-PRF-19500/291 | ||
Breite 5.84mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS: nicht konform / nicht kompatibel
- Ursprungsland:
- PH
Der bipolare Transistor von Microchip bietet eine zuverlässige Schalt- und Verstärkungsleistung für elektronische Schaltungen. Diese hochwertige PNP-Siliziumkomponente bietet eine robuste Leistungsaufnahme in einer kompakten Gehäusekonfiguration.
Hoher kontinuierlicher Kollektorstrom bis zu 600 mA
Schnelle Schaltübergangsfrequenz von 200 MHz
Robuste Leistung von 40 bis 60 V
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