Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 187 W, 3+Tab-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 110-7122
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB30N60H3ATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 5 + | 1,116 € | 5,58 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 110-7122
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB30N60H3ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 187 W | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3+Tab | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.31 x 9.45 x 4.57mm | |
| Gate-Kapazität | 1630pF | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Nennleistung | 1.55mJ | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 30 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 187 W | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3+Tab | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.31 x 9.45 x 4.57mm | ||
Gate-Kapazität 1630pF | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Nennleistung 1.55mJ | ||
RoHS Status: Ausgenommen