Infineon IGBT-Modul / 65 A ±20V max., 1200 V 225 W AG-EASY1B-1 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 111-6104
- Herst. Teile-Nr.:
- FS35R12W1T4B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 111-6104
- Herst. Teile-Nr.:
- FS35R12W1T4B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 65 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 225 W | |
| Gehäusegröße | AG-EASY1B-1 | |
| Konfiguration | Dreiphasenbrücke | |
| Montage-Typ | Tafelmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Transistor-Konfiguration | 3-phasig | |
| Abmessungen | 33.8 x 48 x 12mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 65 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 225 W | ||
Gehäusegröße AG-EASY1B-1 | ||
Konfiguration Dreiphasenbrücke | ||
Montage-Typ Tafelmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Transistor-Konfiguration 3-phasig | ||
Abmessungen 33.8 x 48 x 12mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend