onsemi IGBT / 100 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 595 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 121-7872
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB60N65FL2WG
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 121-7872
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB60N65FL2WG
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±30 V | |
| Verlustleistung max. | 595 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 16.26 x 5.3 x 21.08mm | |
| Gate-Kapazität | 7193pF | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Nennleistung | 3.1mJ | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 100 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V | ||
Verlustleistung max. 595 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 16.26 x 5.3 x 21.08mm | ||
Gate-Kapazität 7193pF | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Nennleistung 3.1mJ | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN