Renesas Electronics IGBT / 40 A ±30V max., 600 V 178,5 W, 3-Pin TO-247A N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 124-3701P
- Herst. Teile-Nr.:
- RJH60F3DPQ-A0#T0
- Marke:
- Renesas Electronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 6 Stück (geliefert in Stange)*
19,98 €
(ohne MwSt.)
23,76 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 6 - 10 | 3,33 € |
| 12 - 48 | 3,145 € |
| 50 - 98 | 2,705 € |
| 100 + | 2,57 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-3701P
- Herst. Teile-Nr.:
- RJH60F3DPQ-A0#T0
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 40 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30V | |
| Verlustleistung max. | 178,5 W | |
| Gehäusegröße | TO-247A | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.94 x 5.02 x 21.13mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Kapazität | 1260pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 40 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±30V | ||
Verlustleistung max. 178,5 W | ||
Gehäusegröße TO-247A | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.94 x 5.02 x 21.13mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Kapazität 1260pF | ||
- Ursprungsland:
- JP
IGBT, diskret, Renesas Electronics
IGBT diskret und Module
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.