Infineon IGBT-Modul / 55 A, 1200 V 210 W, 24-Pin EconoPIM2 Typ N-Kanal Klemme

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Box mit 10 Stück)*

1.143,90 €

(ohne MwSt.)

1.361,20 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 03. Februar 2028
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Box*
10 - 10114,39 €1.143,90 €
20 +108,67 €1.086,70 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
124-9040
Herst. Teile-Nr.:
FP40R12KE3BOSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

55A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

210W

Gehäusegröße

EconoPIM2

Montageart

Klemme

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

24

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

107.5mm

Höhe

17mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

45 mm

Automobilstandard

Nein

IGBT-Module, Infineon


Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz.

Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.

Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links