Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 230 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 133-8573
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW40N65WR5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Stange mit 240 Stück)*
581,76 €
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692,40 €
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 240 + | 2,424 € | 581,76 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 133-8573
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW40N65WR5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 230 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 60kHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Nennleistung | 0.93mJ | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Gate-Kapazität | 4755pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 230 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 60kHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Nennleistung 0.93mJ | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Gate-Kapazität 4755pF | ||
- Ursprungsland:
- CN