onsemi IGBT / 30 A ±20V max., 1200 V 278 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 145-3473
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB15N120IHWG
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 145-3473
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB15N120IHWG
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 278 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 16.25 x 5.3 x 21.4mm | |
| Gate-Kapazität | 2615pF | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Nennleistung | 0.65mJ | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 30 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 278 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 16.25 x 5.3 x 21.4mm | ||
Gate-Kapazität 2615pF | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Nennleistung 0.65mJ | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
- Ursprungsland:
- VN