onsemi IGBT / 60 A ±20V max., 1350 V 394 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 145-3481
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTB30N135IHR1WG
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 145-3481
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- NGTB30N135IHR1WG
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1350 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 394 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 16.25 x 5.3 x 21.4mm | |
| Gate-Kapazität | 5530pF | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1350 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 394 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 16.25 x 5.3 x 21.4mm | ||
Gate-Kapazität 5530pF | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.