Infineon IGBT / 60 A ±20V max., 1100 V 333 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 145-8591
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N110R3FKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 145-8591
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N110R3FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1100 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 333 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Gate-Kapazität | 1460pF | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Nennleistung | 1.8mJ | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1100 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 333 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Gate-Kapazität 1460pF | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Nennleistung 1.8mJ | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
- Ursprungsland:
- MY