Infineon IGBT / 50 A ±20V max., 600 V 333 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 145-9168
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP50N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 145-9168
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP50N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 333 W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.36 x 4.57 x 15.95mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Nennleistung | 3.6mJ | |
| Gate-Kapazität | 3140pF | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 333 W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.36 x 4.57 x 15.95mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Nennleistung 3.6mJ | ||
Gate-Kapazität 3140pF | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
- Ursprungsland:
- MY