STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 167 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 145-9231
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF20V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 145-9231
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF20V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 40 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 167 W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 40 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 167 W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 15.75mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.