- RS Best.-Nr.:
- 145-9419
- Herst. Teile-Nr.:
- FP35R12W2T4BOMA1
- Marke:
- Infineon
Voraussichtlich ab 31.03.2026 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einem Tray von 15)
37,678 €
(ohne MwSt.)
44,837 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Tray* |
15 + | 37,678 € | 565,17 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 145-9419
- Herst. Teile-Nr.:
- FP35R12W2T4BOMA1
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Ausgenommen
Produktdetails
IGBT-Module, Infineon
Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.
Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 54 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 215 W |
Gehäusegröße | AG-EASY2B-1 |
Konfiguration | Dreiphasenbrücke |
Montage-Typ | Tafelmontage |
Channel-Typ | N |
Transistor-Konfiguration | 3-phasig |
Abmessungen | 56.7 x 48 x 12mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 145-9419
- Herst. Teile-Nr.:
- FP35R12W2T4BOMA1
- Marke:
- Infineon
Verwandte Produkte
- Infineon IGBT-Modul / 25 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW EASY2B N-Kanal
- Infineon IGBT-Modul / 50 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW EASY2B N-Kanal
- Infineon IGBT-Modul / 54 A ±20V max. 35-Pin EASY2B N-Kanal
- Infineon IGBT / 50 A 20V max., 1200 V 20 mW AG-EASY2B. N-Kanal
- Infineon IGBT-Modul / 75 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW EASY2B N-Kanal
- Infineon IGBT-Modul / 35 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW EASY2B N-Kanal
- Infineon IGBT / 35 A 20V max., 1200 V 20 mW AG-EASY2B. N-Kanal
- Infineon IGBT / 65 A ±20V max., 1200 V AG-EASY2B-711