IXYS IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 180 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
146-1730
Herst. Teile-Nr.:
IXGP20N120B3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

180 W

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

20kHz

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

10.66 x 4.83 x 16mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Betriebstemperatur max.

+150 °C

IGBTs, diskret, IXYS



IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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