IXYS IGBT / 80 A, 1.2 kV, 3-Pin TO-220 N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
146-1730
Herst. Teile-Nr.:
IXGP20N120B3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)

80 A

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

1.2 kV

Pinanzahl

3

Gehäusegröße

TO-220

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Durchsteckmontage

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

IGBT Discretes, IXYS


IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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