- RS Best.-Nr.:
- 146-4252
- Herst. Teile-Nr.:
- IXYH30N170C
- Marke:
- IXYS
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Produktdetails
IXYS XPT (eXtreme-light Punch Through) IGBTs mit Nennströmen von 29 bis 178 A sind gut für Anwendungen mit Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Leistungsumwandlung geeignet. Diese Geräte wurden mit der proprietären Dünnwafer-XPT-Technologie und dem hochmodernen IGBT-Prozess entwickelt und zeigen Eigenschaften wie geringeren Wärmewiderstand, geringen Tailstrom, geringen Energieverlust und hohe Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung. Dank des positiven Temperaturkoeffizienten ihrer Durchlassspannung können die neuen Hochspannungs-IGBTs parallel eingesetzt werden, was im Vergleich zu Geräten mit niedrigerer Spannung in Reihenschaltung eine kosteneffiziente Lösungen darstellt.
Thin wafer XPT-Technologie
Niedrige Betriebsspannungen VCE(sat)
Co-Pack-Dioden mit kurzer Erholzeit
Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat)
Hohe Effizienz
Erhöhte Zuverlässigkeit für elektrische Anlagen
Anwendungsbereich
Impulsgeber-Stromkreise
Laser- und Röntgengeneratoren
Hochspannungsnetzteile
Hochspannungs-Messeinrichtungen
Kondensatorentladungs-Stromkreise
AC-Schalter
Niedrige Betriebsspannungen VCE(sat)
Co-Pack-Dioden mit kurzer Erholzeit
Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat)
Hohe Effizienz
Erhöhte Zuverlässigkeit für elektrische Anlagen
Anwendungsbereich
Impulsgeber-Stromkreise
Laser- und Röntgengeneratoren
Hochspannungsnetzteile
Hochspannungs-Messeinrichtungen
Kondensatorentladungs-Stromkreise
AC-Schalter
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1700 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±30V |
Verlustleistung max. | 937 W |
Anzahl an Transistoren | 1 |
Gehäusegröße | TO247AD |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 16.13 x 5.21 x 21.34mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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