IXYS IGBT-Modul / 80 A ±20V max. , 1700 V 680 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 146-4402
- Herst. Teile-Nr.:
- IXYN30N170CV1
- Marke:
- IXYS
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- IXYN30N170CV1
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1700 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 680 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Konfiguration | Dual Emitter | |
| Gehäusegröße | SOT-227B | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 38.23 x 25.42 x 9.6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1700 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 680 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Konfiguration Dual Emitter | ||
Gehäusegröße SOT-227B | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 38.23 x 25.42 x 9.6mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Thin wafer XPT™-Technologie
Niedrige Betriebsspannungen VCE(sat)
Co-Pack-Dioden mit kurzer Erholzeit
Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat)
Hochspannungsgehäuse in internationaler Standardgröße
Höhere Effizienz
Beseitigung von mehreren verbundenen Geräten
Erhöhte Zuverlässigkeit für elektrische Anlagen
Impulsgeber-Stromkreise
Laser- und Röntgengeneratoren
Hochspannungsnetzteile
Hochspannungs-Messeinrichtungen
Kondensatorentladungs-Stromkreise
AC-Schalter
Niedrige Betriebsspannungen VCE(sat)
Co-Pack-Dioden mit kurzer Erholzeit
Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat)
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