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Diskrete Halbleiter
IGBT
ROHM IGBT / 40 A ±30V max., 650 V 144 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal
RS Best.-Nr.:
150-1486
Herst. Teile-Nr.:
RGTH40TS65GC11
Marke:
ROHM
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RS Best.-Nr.:
150-1486
Herst. Teile-Nr.:
RGTH40TS65GC11
Marke:
ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Konformitätserklärung
Ursprungsland:
JP
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, Hochgeschwindigkeitsschalten, Niedrige Schaltverluste und weiches Schalten, integriertes sehr schnelles FRD für die Wiederherstellung (RFN-Serie), bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform
Eigenschaft
Wert
Dauer-Kollektorstrom max.
40 A
Kollektor-Emitter-Spannung
650 V
Gate-Source Spannung max.
±30V
Anzahl an Transistoren
1
Verlustleistung max.
144 W
Gehäusegröße
TO-247N
Montage-Typ
THT
Channel-Typ
N
Pinanzahl
3
Transistor-Konfiguration
Einfach
Abmessungen
16 x 5 x 21mm
Gate-Kapazität
47pF
Betriebstemperatur max.
+175 °C
Betriebstemperatur min.
–40 °C