ROHM IGBT / 70 A ±30V max., 650 V 234 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 150-1500
- Herst. Teile-Nr.:
- RGTH80TS65DGC11
- Marke:
- ROHM
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- RGTH80TS65DGC11
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 70 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30V | |
| Verlustleistung max. | 234 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247N | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 16 x 5 x 21mm | |
| Gate-Kapazität | 85pF | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 70 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±30V | ||
Verlustleistung max. 234 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247N | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 16 x 5 x 21mm | ||
Gate-Kapazität 85pF | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
- Ursprungsland:
- JP
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, Hochgeschwindigkeitsschalten, Niedrige Schaltverluste und weiches Schalten, integriertes sehr schnelles FRD für die Wiederherstellung (RFN-Serie), bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform
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