Infineon IGBT / 80 A ±30V max., 650 V 395 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
162-3334
Herst. Teile-Nr.:
IKZ75N65ES5XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±30V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

395 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

P

Pinanzahl

4

Schaltgeschwindigkeit

40kHz

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.9 x 5.1 x 22.5mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Nennleistung

2.8mJ

Gate-Kapazität

4500pF

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Um die Best-in-Class-Performance der TRENCHSTOP™ 5 IGBT-Technologie weiter zu verbessern, bietet Infineon die Technologie in einem Hochleistungspaket mit einem zusätzlichen Kelvin-Emitter-Pin an. Der TO-247 4-Pin bietet eine extrem niedrige Induktivität zum Gate-Emitter-Rückführungskreis und bringt TRENCHSTOP™ 5 IGBT auf die nächste Stufe der besten Schaltleistung seiner Klasse. Das TO-247-Standard-Gerätebaugruppengehäuse wurde übernommen und ein zusätzlicher, vierter Pin hinzugefügt, um die Kelvin-Emitter-Konfiguration zu ermöglichen.

Sehr niedrige RegelinduktivitätsschleifeZusätzlicher Emitter-Pin, der vierte Gehäuse-Pin, für Treiber-RückkopplungGleiche Kriechstrecke des Kollektor-Emitters wie bei Standardgehäuse TO-247Über 20 % weniger Gesamtschaltverluste im Vergleich zu standardmäßigem TO-247-3Verbesserung des Systemwirkungsgrades oder Erhöhung der Leistungsdichte im Vergleich zum standardmäßigen TO-247-3