STMicroelectronics IGBT / 25 A, 450 V 150 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 164-7013P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGB20N45LZAG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 25A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 450V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 8.4μs | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.55V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 16 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.35 mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Serie | Automotive Grade | |
| Länge | 10.4mm | |
| Energie | 300mJ | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 25A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 450V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 8.4μs | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.55V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 16 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.35 mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Höhe 4.6mm | ||
Serie Automotive Grade | ||
Länge 10.4mm | ||
Energie 300mJ | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Diese anwendungsspezifische IGBT nutzt modernste PowerMESH™-Technologie, die für den Spulenantrieb in der rauen KFZ-Zündanlagenumgebung optimiert wurde. Diese Geräte weisen eine sehr niedrige Durchlassspannung und sehr hohe SCIS-Leistungsfähigkeit über einen großen Betriebstemperaturbereich auf. Außerdem bedeutet ein ESD-geschützter Logikebenen-Gate-Eingang und ein integrierter Gate-Widerstand, dass keine externe Schutzschaltung erforderlich ist.
SCIS-Leistung von 300 mJ bei TJ = 25 °CTeile sind zu 100 % SCIS-geprüftESD-Gate-Emitter-SchutzGate-Kollektor-HochspannungsbegrenzungLogikebenen-Gate-AnsteuerungSehr niedrige SättigungsspannungHohe ImpulsstrombelastbarkeitGate- und Gate-Emitter-Widerstand