STMicroelectronics IGBT / 16 A @ +25°C ±20V max., 1200 V 167 W, 3-Pin TO N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
165-3232
Herst. Teile-Nr.:
STGW8M120DF3
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

16 A @ +25°C

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

167 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Nennleistung

1.24mJ

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Gate-Kapazität

542pF

Der 1200-V-IGBT der Serie M basiert auf Trench-Field-Stop-Technologie (TFS) und wurde für Anwendungen entwickelt, die mit einer Schaltfrequenz zwischen 2 und 20 kHz arbeiten. Mit hoch optimierten Leitungs- und Ausschalteigenschaften sowie Einschaltverlusten sind diese IGBTs ideal für den Einsatz in hart schaltenden Stromkreisen in Anwendungen wie Solarwechselrichtern, Schweißgeräten, USV und industriellen Motorantrieben.

Verlustarme IGBT-Serie für Anwendungen bis zu 20 kHz
Hohe Robustheit und Zuverlässigkeit dank 1200 V Durchschlagsspannung
Dünne IGBT-Matrize für erhöhten Wärmewiderstand
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient, mit enger Parameterverteilung
Optimierte Diode für eine schnelle Wiederherstellung

11 μs Kurzschlussfestigkeitszeit
Enge Parameterverteilung
Sicherere Parallelschaltung
Niedriger Wärmewiderstand
Antiparallele Diode mit weicher und sehr schneller Wiederherstellung