STMicroelectronics IGBT / 30 A @ +25°C ±20V max., 600 V 115 W, 3-Pin TO N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
165-3233
Herst. Teile-Nr.:
STGWT15H60F
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

30 A @ +25°C

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

115 W

Gehäusegröße

TO

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.8 x 5 x 20.1mm

Nennleistung

553mJ

Gate-Kapazität

1952pF

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Der 600-V-IGBT der Serie H basiert auf Trench-Field-Stop-Technologie (TFS) und bietet eine sehr niedrige Sättigungsspannung (bis auf 1,5 V) mit minimalem Kollektor-Ausschaltendstrom und einer maximalen Betriebstemperatur an der Sperrschicht von 175 °C, um die Effizienz von Haushaltsgeräten mit mittlerer Frequenz zu verbessern. Strenge Kontrollparameter in Verbindung mit einer VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizient ermöglichen eine sichere Parallelschaltung mehrerer IGBTs für höhere Leistungsanforderungen und zur Vereinfachung des Designs.

IGBT-Serie mit mittlerer Geschwindigkeit, optimiert für Haushaltsgeräte (8 bis 30 kHz)
Hohe Robustheit und Zuverlässigkeit dank einer erweiterten max. Betriebstemperatur an der Sperrschicht von 175 °C und 600 V Durchschlagsspannung
Sehr niedrige Sättigungsspannung (bis auf 1,5 V) für erhöhte Effizienz
Positiver Temperaturkoeffizient für sichere Parallelschaltung von mehreren IGBTs
Optimierte Diode für Zielanwendungen (geringe EMI und schnelle Erholzeit)

Hochgeschwindigkeitsschalten
Enge Parameterverteilung
Sichere Parallelschaltung
Niedriger Wärmewiderstand