Infineon IGBT-Modul / 295 A ±20V max., 1200 V 1050 W, 7-Pin 62MM-Modul N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 165-5760
- Herst. Teile-Nr.:
- FF200R12KT3EHOSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 165-5760
- Herst. Teile-Nr.:
- FF200R12KT3EHOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 295 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 1050 W | |
| Gehäusegröße | 62MM-Modul | |
| Konfiguration | Serie | |
| Montage-Typ | Tafelmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Abmessungen | 106.4 x 61.4 x 29mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 295 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 1050 W | ||
Gehäusegröße 62MM-Modul | ||
Konfiguration Serie | ||
Montage-Typ Tafelmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 7 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Abmessungen 106.4 x 61.4 x 29mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +125 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN