Infineon IGBT / 50 A ±30V max., 1200 V 180 W, 3-Pin TO-247AD N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 165-8122
- Herst. Teile-Nr.:
- IRG7PH35UD-EP
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 165-8122
- Herst. Teile-Nr.:
- IRG7PH35UD-EP
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30V | |
| Verlustleistung max. | 180 W | |
| Gehäusegröße | TO-247AD | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.87 x 5.31 x 20.7mm | |
| Gate-Kapazität | 1940pF | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Nennleistung | 2150mJ | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±30V | ||
Verlustleistung max. 180 W | ||
Gehäusegröße TO-247AD | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.87 x 5.31 x 20.7mm | ||
Gate-Kapazität 1940pF | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Nennleistung 2150mJ | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
- Ursprungsland:
- MX