onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 349 W, 3-Pin TO-247AB N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 166-1872
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH40N60SMDF
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 166-1872
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH40N60SMDF
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 349 W | |
| Gehäusegröße | TO-247AB | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.6 x 4.7 x 20.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 349 W | ||
Gehäusegröße TO-247AB | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.6 x 4.7 x 20.6mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.