onsemi IGBT / 15,5 A ±14V max., 450 V 166,7 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 166-2050
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL9V2540S3ST
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 166-2050
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL9V2540S3ST
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 15,5 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 450 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±14V | |
| Verlustleistung max. | 166,7 W | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 15,5 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 450 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±14V | ||
Verlustleistung max. 166,7 W | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- Fairchild IGBT / 21 A ±14V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- Fairchild IGBT / 46 A ±14V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- Fairchild IGBT / 51 A ±14V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- Fairchild IGBT / 23 A ±10V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- onsemi IGBT / 10 A ±14V max. 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- onsemi IGBT / 20 A ±20V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- onsemi IGBT / 21 A ±10V max. 6-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- onsemi IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal